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新型多齿氮配体的设计及其在稀土有机配合物合成中的应用

基于配体的立体位阻和电子效应考虑,我们课题组设计合成了一类含β-二亚胺骨架的三齿和四齿氮配体。骨架的一边引入大位阻2,6-异丙基苯胺基对金属中心提供优秀立体位阻保护,另一边引入一个或两个胺基配位点适度满足金属离子的配位数需求。所设计的三齿氮配体是六电子配体((LX+L)-type ligand),和茂配体提供的电子数相当,但可以提供多一个维度的立体保护;四齿氮配体是八电子配体((LX+L2)-type ligand),与茂配体+一个中性配位点提供的电子数相当。当金属配合物和底物反应时,胺基可以和金属离子发生配位解离以满足反应底物配位活化的需要,另外我们也可以通过调节氮原子上的取代基来调控胺基的配位能力。 利用这些多齿氮配体,我们课题组成功合成了一系列高活性稀土有机配合物,如轻稀土双烷基配合物、钇氢化物、钇氢化物/苯基硅烷加合物、钪末端氮宾配合物、钪腈亚胺配合物、钪桥联膦宾配合物、稀土单核卡宾配合物、稀土单核和末端膦宾配合物、二价镱和钐烷基配合物等,其中一些是采用双齿β-二亚胺配体以及其它配体难以合成的。我们在研究中也展示了可以通过合成的核心稀土有机配合物与一些底物的反应高效构

吴锐教授团队在《Nature Electronics》上发表磁电复合材料最新研究

随着数字技术的迅速发展,到 2030 年,信息通信技术将消耗全球总电力的 20%。世界各地的数据中心所用电力预计将占其中的三分之一,这将超过许多国家的所有能源消耗。磁电耦合效应允许材料的磁化强度由电场控制,反之亦然。由于器件工作时通过的电流极。氪车牡缌髑淖孕娲⑵骷相比,能耗可以降低 2 个数量级。除此之外,该效应如果被用于存算一体神经形态计算,还可以通过最大限度地减少德赢新版app处理器和内存之间的物理分离(即“内存墙”,存在于冯·诺伊曼-架构的计算机中)而显著降低器件功耗。然而,虽经过近20年的紧张研究,目前仍然没有一个适用于磁电随机存储器件的材料系统出现。这样的系统要求在没有任何偏置磁场的情况下,可以在室温下产生相当大的逆磁电耦合效应(即电场对磁性的调控),并且具有极低的漏电。 吴锐教授和来自剑桥大学等国内外研究机构的合作者,在此项工作中取得了里程碑式的成果。他们通过非常简单的生长过程,完成了自组装垂直取向的三相纳米复合材料(即“1-3”型磁电复合结构)的“一蹴而就”式的制备,从而无需像制备复杂的电子材料那样精确控制薄膜结构(图1)。薄膜阵列中良好分离的纳米柱子非常适用

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